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  • 高压调控拓扑电子资料研讨获发展 2021-08-25 | 来源:天堂乐fun88官网
  •   中科院强磁场科学中心研讨员杨昭荣、田亮堂与南京大学教授孙建、万贤纲以及北京高压科学研讨中心研讨员杨文革、院士毛河光等组成的协作团队,使用高压、强磁场极点条件,在拓扑电子资料的量子序调控研讨中获得重要发展,相关效果近来发表于《美国科学院院刊》。

      伴随着拓扑绝缘体的发现,资料的拓扑特性以及别致量子效应遭到广泛重视,拓扑电子资料宗族也从开始的拓扑绝缘体逐步扩展到狄拉克半金属和外尔半金属等。ZrTe5由于具有大热电势得到广泛研讨,最近的理论研讨标明,单层的ZrTe5是一个具有大能隙的量子自旋霍尔绝缘体,块体资料的拓扑性质坐落强弱拓扑绝缘体之间。但是,角分辩光电子能谱和磁场下红外光谱的研讨试验标明ZrTe5可能是一个三维狄拉克半金属资料。

      研讨人员在ZrTe5的磁输运研讨中,观测到了与狄拉克半金属相关的手征磁效应。研讨标明,ZrTe5是一个研讨拓扑相变的抱负系统,由于该资料的拓扑特性活络于外参量的改变。研讨人员丈量发现,伴随常压下128K邻近电阻峰的逐步按捺,ZrTe5单晶样品在6.2GPa时表现出Tc=1.8 K的超导电性,在14.6GPa时到达4K的最大值。当压力增加到21.2GPa之上,第二个超导相(Tc=6K)被诱导出来,并和之前的超导相共存。



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